DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMN10H220LVT-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.2139/pcs
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DMN10H220LVT-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMN10H220LVT-7
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.87A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 401pF @ 25V
Vgs (massimo) ±16V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.67W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 1.6A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TSOT-26
Pacchetto / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso -
Paese d'origine -

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