Numero di parte | DMN10H220LVT-7 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.87A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 401pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.67W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 1.6A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSOT-26 |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Peso | - |
Paese d'origine | - |