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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › DMN100-7-F
DMN100-7-F

DMN100-7-F - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMN100-7-F
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMN100-7-F Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
15000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.2406/pcs
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DMN100-7-F Descrizione dettagliata

Numero di parte DMN100-7-F
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 1A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SC-59-3
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso -
Paese d'origine -

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