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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › DMN1004UFDF-13
DMN1004UFDF-13

DMN1004UFDF-13 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMN1004UFDF-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMN1004UFDF-13 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
846007 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.19462/pcs
Il nostro prezzo
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DMN1004UFDF-13 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMN1004UFDF-13
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2385pF @ 6V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN2020-6
Pacchetto / caso 6-UDFN Exposed Pad
Peso -
Paese d'origine -

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