DMN1004UFDF-13 - Diodes Incorporated

品番	DMN1004UFDF-13
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	12V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	15A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	4.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	47nC @ 10V
Vgs（最大）	±8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2385pF @ 6V
FET機能	-
消費電力（最大）	2.1W (Ta)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	U-DFN2020-6
パッケージ/ケース	6-UDFN Exposed Pad
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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