DMN1004UFDF-7 - Diodes Incorporated

品番	DMN1004UFDF-7
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	12V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	15A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	4.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	47nC @ 10V
Vgs（最大）	±8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2385pF @ 6V
FET機能	-
消費電力（最大）	2.1W (Ta)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	U-DFN2020-6
パッケージ/ケース	6-UDFN Exposed Pad
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
DMN100	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	詳細
DMN100-7	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	詳細
DMN100-7-F	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3	詳細
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DMN1004UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6	詳細
DMN1004UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6	詳細
DMN1004UFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	詳細
DMN1004UFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	詳細
DMN1006UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6	詳細