DMN1004UFDF-7 - Diodes Incorporated

부품 번호	DMN1004UFDF-7
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	15A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	4.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id	1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	47nC @ 10V
Vgs (최대)	±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	2385pF @ 6V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	2.1W (Ta)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	U-DFN2020-6
패키지 / 케이스	6-UDFN Exposed Pad
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
DMN100	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	세부
DMN100-7	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	세부
DMN100-7-F	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3	세부
DMN1002UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6	세부
DMN1003UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6	세부
DMN1004UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6	세부
DMN1004UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6	세부
DMN1004UFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	세부
DMN1004UFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	세부
DMN1006UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6	세부