DMN1004UFDF-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMN1004UFDF-13
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	15A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2385pF @ 6V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	U-DFN2020-6
Paquet / cas	6-UDFN Exposed Pad
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMN100	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Détails
DMN100-7	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Détails
DMN100-7-F	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3	Détails
DMN1002UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6	Détails
DMN1003UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6	Détails
DMN1004UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6	Détails
DMN1004UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6	Détails
DMN1004UFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	Détails
DMN1004UFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	Détails
DMN1006UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6	Détails