DMN100-7-F - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMN100-7-F
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	1.1A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	5.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 1A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SC-59-3
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMN100	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Détails
DMN100-7	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Détails
DMN100-7-F	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3	Détails
DMN1002UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6	Détails
DMN1003UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6	Détails
DMN1004UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6	Détails
DMN1004UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6	Détails
DMN1004UFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	Détails
DMN1004UFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	Détails
DMN1006UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6	Détails