Artikelnummer | DMN100-7-F |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.1A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 500mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 1A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SC-59-3 |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |