| 品番 | C3M0120090D |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 900V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 15V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 3mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 17.3nC @ 15V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 350pF @ 600V |
| Vgs（最大） | +18V, -8V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 97W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 155 mOhm @ 15A, 15V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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