| 品番 | AOSD62666E |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.5A (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 14.5 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 755pF @ 30V |
| 電力 - 最大 | 2.5W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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AOSD62666E | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC | 詳細 |
