AOSD62666E - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numéro d'article	AOSD62666E
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	755pF @ 30V
Puissance - Max	2.5W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SOIC
Poids	-
Pays d'origine	-