AOSD62666E - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numero di parte	AOSD62666E
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	755pF @ 30V
Potenza - Max	2.5W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOIC
Peso	-
Paese d'origine	-