AOSD62666E - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Artikelnummer	AOSD62666E
Teilstatus	Active
FET Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft	Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	9.5A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	14.5 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	755pF @ 30V
Leistung max	2.5W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket	8-SOIC
Gewicht	-
Ursprungsland	-