AOSD62666E detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
AOSD62666E |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft |
Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
9.5A (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
14.5 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
10nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
755pF @ 30V |
| Leistung max |
2.5W (Ta) |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket |
8-SOIC |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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