AOSD62666E Descripción detallada
| Número de pieza |
AOSD62666E |
| Estado de la pieza |
Active |
| Tipo de FET |
2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET |
Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
9.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
14.5 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
10nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
755pF @ 30V |
| Potencia - Max |
2.5W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje |
Surface Mount |
| Paquete / caja |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
8-SOIC |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
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