SI2308CDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SI2308CDS-T1-GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	144 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	105pF @ 30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SI2308BDS	VISHAY	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	Dettagli
SI2308BDS-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3	Dettagli
SI2308BDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3	Dettagli
SI2308CDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3	Dettagli
SI2308DS	VISHAY	SI2308DS VISHAY SOT23 New Original Stocks	Dettagli
SI2308DS-T1	VIS	SI2308DS-T1 VIS SOT23 New Original Stocks	Dettagli
SI2308DS-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3	Dettagli