SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番
SI2308CDS-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SI2308CDS-T1-GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1354032 pcs
参考価格
USD 0.1216/pcs
私達の価格
メールで送信:[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3 詳細な説明

品番 SI2308CDS-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 144 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 4nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 105pF @ 30V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.6W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
重量 -
原産国 -

関連製品 SI2308CDS-T1-GE3