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SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番: SI2308BDS-T1-GE3
メーカー: Vishay Siliconix
簡単な説明: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SI2308BDS-T1-GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 15000 pcs
参考価格: USD 0.1637/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SI2308BDS-T1-GE3 詳細な説明

品番	SI2308BDS-T1-GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	2.3A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	6.8nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	190pF @ 30V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	156 mOhm @ 1.9A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
重量	-
原産国	-

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