SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte
SI2308BDS-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
15000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.1637/pcs
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SI2308BDS-T1-GE3 Descrizione dettagliata

Numero di parte SI2308BDS-T1-GE3
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 30V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 1.9A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso -
Paese d'origine -

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