SI2308BDS-T1-E3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SI2308BDS-T1-E3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	190pF @ 30V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	156 mOhm @ 1.9A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SI2300	VISHAY	SI2300 VISHAY SOT23 New Original Stocks	Dettagli
SI2300-TP	Micro Commercial Co	N-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE	Dettagli
SI2300DS	VISHAY	SI2300DS VISHAY SOT-23 New Original Stocks	Dettagli
SI2300DS-T1-E3	VIS	SI2300DS-T1-E3 VIS SOT-23.. New Original Stocks	Dettagli
SI2300DS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23	Dettagli
SI2301	VISHAY	SI2301 VISHAY SOT-23 New Original Stocks	Dettagli
SI2301-TP	Micro Commercial Co	MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23	Dettagli
SI2301A-TP	Micro Commercial Co	P-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE	Dettagli
SI2301ADS	VIAHAY	SI2301ADS VIAHAY SOT23-.. New Original Stocks	Dettagli
SI2301ADS-T1	VISHAY	SI2301ADS-T1 VISHAY SOT-23 New Original Stocks	Dettagli