SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3 - Vishay Siliconix

부품 번호
SI2308BDS-T1-E3
제조사
Vishay Siliconix
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
SI2308BDS-T1-E3 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
60000 pcs
참고 가격
USD 0.1637/pcs
우리의 가격
이메일로 보내기 : [email protected]

에 대한 견적을 요청하려면 아래 양식을 작성하십시오 SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3 상세 설명

부품 번호 SI2308BDS-T1-E3
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 6.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 190pF @ 30V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 1.9A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
무게 -
원산지 -

관련 제품 SI2308BDS-T1-E3