SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SI2308BDS-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
15000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1637/pcs
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SI2308BDS-T1-GE3 Description détaillée

Numéro d'article SI2308BDS-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.3A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 1.9A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids -
Pays d'origine -

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