SI2308CDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SI2308CDS-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Precio de referencia: USD 0.1216/pcs
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Número de pieza	SI2308CDS-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	144 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	105pF @ 30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SI2308BDS	VISHAY	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	Detalles
SI2308BDS-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3	Detalles
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