SI2308DS-T1-E3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SI2308DS-T1-E3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 4011 pcs
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Número de pieza	SI2308DS-T1-E3
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	-
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	240pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 2A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso	-
País de origen	-

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