SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3 - Vishay Siliconix

номер части
SI2308DS-T1-E3
производитель
Vishay Siliconix
Краткое описание
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SI2308DS-T1-E3 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
4468 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3 Подробное описание

номер части SI2308DS-T1-E3
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C -
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 240pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.25W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 2A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / чехол TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI2308DS-T1-E3