| Numero di parte | TK25V60X,LQ |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 300V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 180W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DFN-EP (8x8) |
| Pacchetto / caso | 4-VSFN Exposed Pad |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
TK25A60X,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 25A TO-3PN | Dettagli |
|
TK25A60X5,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS | Dettagli |
 |
TK25E06K3,S1X(S | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB | Dettagli |
 |
TK25E60X,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB | Dettagli |
|
TK25E60X5,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB | Dettagli |
 |
TK25N60X,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 | Dettagli |
|
TK25N60X5,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 25A TO247 | Dettagli |
|
TK25V60X,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | Dettagli |
