TK25V60X,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

品番	TK25V60X,LQ
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	25A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	135 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3.5V @ 1.2mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	40nC @ 10V
Vgs（最大）	±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2400pF @ 300V
FET機能	-
消費電力（最大）	180W (Tc)
動作温度	150°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	4-DFN-EP (8x8)
パッケージ/ケース	4-VSFN Exposed Pad
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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