TK25E60X,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TK25E60X,S1X
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 300V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 7.5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220
Pacchetto / caso	TO-220-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TK25A60X,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 25A TO-3PN	Dettagli
TK25A60X5,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS	Dettagli
TK25E06K3,S1X(S	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB	Dettagli
TK25E60X,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB	Dettagli
TK25E60X5,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB	Dettagli
TK25N60X,S1F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 25A TO-247	Dettagli
TK25N60X5,S1F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 25A TO247	Dettagli
TK25V60X,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Dettagli