TK25A60X5,S5X - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TK25A60X5,S5X
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 300V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 7.5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220SIS
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	TK25A60X,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 25A TO-3PN	Dettagli
	TK25A60X5,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS	Dettagli