TK25E06K3,S1X(S - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TK25E06K3,S1X(S
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	25A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 12.5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TK25E06K3,S1X(S	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB	Dettagli
TK25E60X,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB	Dettagli
TK25E60X5,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB	Dettagli