TK25E06K3,S1X(S - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK25E06K3,S1X(S
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	25A
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 12.5A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220-3
Paket / Fall	TO-220-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TK25E06K3,S1X(S	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB	Einzelheiten
TK25E60X,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB	Einzelheiten
TK25E60X5,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB	Einzelheiten