TK25E60X5,S1X

TK25E60X5,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TK25E60X5,S1X
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
237 pcs
Referenzpreis
USD 4.62/pcs
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TK25E60X5,S1X detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TK25E60X5,S1X
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 25A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.2mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 180W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 7.5A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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