TK25E60X5,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK25E60X5,S1X
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	25A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 7.5A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220
Paquet / cas	TO-220-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TK25E06K3,S1X(S	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB	Détails
TK25E60X,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB	Détails
TK25E60X5,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB	Détails