SSM6L09FUTE85LF

SSM6L09FUTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
SSM6L09FUTE85LF
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
262777 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.099/pcs
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SSM6L09FUTE85LF Descrizione dettagliata

Numero di parte SSM6L09FUTE85LF
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 200MA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V
Potenza - Max 300mW
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore US6
Peso -
Paese d'origine -

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