SSM6L09FUTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	SSM6L09FUTE85LF
Teilstatus	Active
FET Typ	N and P-Channel
FET-Eigenschaft	Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	400mA, 200mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 200MA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	20pF @ 5V
Leistung max	300mW
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket	US6
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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