SSM6L13TU(T5L,F,T) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	SSM6L13TU(T5L,F,T)
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N and P-Channel
FET-Eigenschaft	Logic Level Gate, 1.8V Drive
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	800mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	143 mOhm @ 600mA, 4V, 234 mOhm @ 600mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	268pF @ 10V, 250pF @ 10V
Leistung max	500mW
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket	UF6
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SSM6L11TU(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S	Einzelheiten
SSM6L12TU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N/P-CH 30V 500MA UF6	Einzelheiten
SSM6L13TU	TOSHIBA	SSM6L13TU TOSHIBA SOT363 New Original Stocks	Einzelheiten
SSM6L13TU(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET ARRAY N/P-CH 20V UF6	Einzelheiten
SSM6L16FETE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6	Einzelheiten