SSM6L09FUTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: SSM6L09FUTE85LF
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 271363 pcs
Precio de referencia: USD 0.099/pcs
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Número de pieza	SSM6L09FUTE85LF
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N and P-Channel
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 200MA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	20pF @ 5V
Potencia - Max	300mW
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor	US6
Peso	-
País de origen	-

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