SSM6L09FUTE85LF

SSM6L09FUTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호
SSM6L09FUTE85LF
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
260934 pcs
참고 가격
USD 0.099/pcs
우리의 가격
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SSM6L09FUTE85LF 상세 설명

부품 번호 SSM6L09FUTE85LF
부품 상태 Active
FET 유형 N and P-Channel
FET 기능 Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 400mA, 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 200MA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 1.8V @ 100µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 20pF @ 5V
전력 - 최대 300mW
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 업체 장치 패키지 US6
무게 -
원산지 -

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