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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › SSM6L35FE,LM
SSM6L35FE,LM

SSM6L35FE,LM - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
SSM6L35FE,LM
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
SSM6L35FE,LM Navigazione online PDF
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-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
20000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.1325/pcs
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SSM6L35FE,LM Descrizione dettagliata

Numero di parte SSM6L35FE,LM
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 180mA, 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 3V
Potenza - Max 150mW
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore ES6 (1.6x1.6)
Peso -
Paese d'origine -

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