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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › SSM3J353F,LF
SSM3J353F,LF

SSM3J353F,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
SSM3J353F,LF
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
SSM3J353F,LF Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
7500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0946/pcs
Il nostro prezzo
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SSM3J353F,LF Descrizione dettagliata

Numero di parte SSM3J353F,LF
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 159pF @ 15V
Vgs (massimo) +20V, -25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio 150°C
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore S-Mini
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso -
Paese d'origine -

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