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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › SSM3J353F,LF
SSM3J353F,LF

SSM3J353F,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
SSM3J353F,LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
SSM3J353F,LF Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
7500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0946/pcs
Notre prix
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SSM3J353F,LF Description détaillée

Numéro d'article SSM3J353F,LF
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.4nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 159pF @ 15V
Vgs (Max) +20V, -25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 2A, 10V
Température de fonctionnement 150°C
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur S-Mini
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids -
Pays d'origine -

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