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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › SSM3J353F,LF
SSM3J353F,LF

SSM3J353F,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
SSM3J353F,LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
SSM3J353F,LF Navegación en línea de PDF
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-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
7500 pcs
Precio de referencia
USD 0.0946/pcs
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SSM3J353F,LF Descripción detallada

Número de pieza SSM3J353F,LF
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 3.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 159pF @ 15V
Vgs (Max) +20V, -25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 2A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor S-Mini
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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