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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › SSM3J353F,LF
SSM3J353F,LF

SSM3J353F,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
SSM3J353F,LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SSM3J353F,LF PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7500 pcs
Referenzpreis
USD 0.0946/pcs
Unser Preis
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SSM3J353F,LF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SSM3J353F,LF
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 3.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 159pF @ 15V
Vgs (Max) +20V, -25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 600mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 2A, 10V
Betriebstemperatur 150°C
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket S-Mini
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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