PSMN4R1-60YLX - Nexperia USA Inc.

Numero di parte	PSMN4R1-60YLX
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	103nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7853pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	238W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso	SC-100, SOT-669
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
PSMN4R0-25YLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 25V 84A LFPAK	Dettagli
PSMN4R0-30YL	NXP	PSMN4R0-30YL NXP SOP669 New Original Stocks	Dettagli
PSMN4R0-30YL,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK	Dettagli
PSMN4R0-30YLDX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK	Dettagli
PSMN4R0-40YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK	Dettagli
PSMN4R0-60YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK	Dettagli
PSMN4R1-30YLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 90A LFPAK	Dettagli
PSMN4R1-60YLX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56	Dettagli
PSMN4R2-30MLDX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33	Dettagli
PSMN4R2-60PLQ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 130A TO-220	Dettagli