PSMN4R1-30YLC,115 - Nexperia USA Inc.

Numero di parte	PSMN4R1-30YLC,115
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	92A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.95V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1502pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.35 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso	SC-100, SOT-669
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
PSMN4R0-25YLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 25V 84A LFPAK	Dettagli
PSMN4R0-30YL	NXP	PSMN4R0-30YL NXP SOP669 New Original Stocks	Dettagli
PSMN4R0-30YL,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK	Dettagli
PSMN4R0-30YLDX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK	Dettagli
PSMN4R0-40YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK	Dettagli
PSMN4R0-60YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK	Dettagli
PSMN4R1-30YLC,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 90A LFPAK	Dettagli
PSMN4R1-60YLX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56	Dettagli
PSMN4R2-30MLDX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33	Dettagli
PSMN4R2-60PLQ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 130A TO-220	Dettagli