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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › PSMN4R0-40YS,115
PSMN4R0-40YS,115

PSMN4R0-40YS,115 - Nexperia USA Inc.

Numero di parte
PSMN4R0-40YS,115
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
PSMN4R0-40YS,115 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
PSMN4R0-40YS,115.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
26250 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.386/pcs
Il nostro prezzo
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PSMN4R0-40YS,115 Descrizione dettagliata

Numero di parte PSMN4R0-40YS,115
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2410pF @ 20V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso SC-100, SOT-669
Peso -
Paese d'origine -

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