PSMN4R1-60YLX detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
PSMN4R1-60YLX |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
100A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
5V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
4.1 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.1V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
103nC @ 10V |
Vgs (Max) |
±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
7853pF @ 25V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
238W (Ta) |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
LFPAK56, Power-SO8 |
Paket / Fall |
SC-100, SOT-669 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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