| Numero di parte | APT35GT120JU2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 55A |
| Potenza - Max | 260W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2.53nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | ISOTOP |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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APT35DL120HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.2KV SOT227 | Dettagli |
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APT35GA90B | Microsemi Corporation | IGBT 900V 63A 290W TO-247 | Dettagli |
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APT35GA90BD15 | Microsemi Corporation | IGBT 900V 63A 290W TO247 | Dettagli |
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APT35GN120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 94A 379W TO247 | Dettagli |
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APT35GN120L2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 94A 379W TO264 | Dettagli |
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APT35GP120B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 96A 543W TMAX | Dettagli |
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APT35GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 96A 543W TO247 | Dettagli |
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APT35GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 | Dettagli |
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APT35GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 | Dettagli |
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APT35GT120JU2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 | Dettagli |
