| Numero di parte | APT35GA90BD15 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 63A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 105A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 18A |
| Potenza - Max | 290W |
| Cambiare energia | 642µJ (on), 382µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 84nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 12ns/104ns |
| Condizione di test | 600V, 18A, 10 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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APT35DL120HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.2KV SOT227 | Dettagli |
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APT35GA90B | Microsemi Corporation | IGBT 900V 63A 290W TO-247 | Dettagli |
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APT35GA90BD15 | Microsemi Corporation | IGBT 900V 63A 290W TO247 | Dettagli |
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APT35GN120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 94A 379W TO247 | Dettagli |
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APT35GN120L2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 94A 379W TO264 | Dettagli |
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APT35GP120B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 96A 543W TMAX | Dettagli |
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APT35GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 96A 543W TO247 | Dettagli |
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APT35GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 | Dettagli |
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APT35GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 | Dettagli |
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APT35GT120JU2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 | Dettagli |
