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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › APT35GP120J
APT35GP120J

APT35GP120J - Microsemi Corporation

Numero di parte
APT35GP120J
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
IGBT 1200V 64A 284W SOT227
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APT35GP120J Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
35 pcs
Prezzo di riferimento
USD 38.62/pcs
Il nostro prezzo
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APT35GP120J Descrizione dettagliata

Numero di parte APT35GP120J
Stato parte Active
Tipo IGBT PT
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 64A
Potenza - Max 284W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 35A
Corrente - Limite del collettore (max) 250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 3.24nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso ISOTOP
Pacchetto dispositivo fornitore ISOTOP®
Peso -
Paese d'origine -

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